WSK55N20
IC
TO-263-2L
可供量大可议
WSK55N20
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：55A@@功率(Pd)：158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：48mΩ@10V, 15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
品牌
WINSOK
封装
TO-263-2L
库存
36
货期
现货
WSK55N20参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
WSK55N20概述
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：55A@@功率(Pd)：158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：48mΩ@10V, 15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
WSK55N20特性
暂无产品特性。
WSK55N20应用领域
暂无应用领域。