WSJM65R260XQ-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压， 连续漏极电流达15A， 导通电阻典型值为260mΩ， 在高温与高频工作环境下仍能保持优异的导电性能。 栅源电压范围为-5V至+16V， 确保了器件的稳定驱动与可靠关断。 采用宽禁带半导体材料， 显著降低开关损耗， 提升系统整体能效。 适用于高功率密度电源转换装置， 如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块， 可有效提升系统效率并减小散热设计负担。