WSG02P06

这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造， 该技术专门用于最小化导通电阻。 此器件特别适用于低压应用， 如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路， 且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。