WSF35N20
IC
TO-252-2L
可供量大可议
WSF35N20
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：35A@@功率(Pd)：150W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：60mΩ@10V, 20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
品牌
WINSOK
封装
TO-252-2L
库存
111
货期
现货
WSF35N20参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 111 |
WSF35N20概述
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：200V@@连续漏极电流(Id)：35A@@功率(Pd)：150W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：60mΩ@10V, 20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
WSF35N20特性
暂无产品特性。
WSF35N20应用领域
暂无应用领域。