WSF15N10A
IC
TO-252
可供量大可议
WSF15N10A
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 15 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m? )@4.389V 110 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3.2 Qgd(nC) 6 Ciss(pF) 730 Coss(pF) 37 Crss(pF) 27
品牌
WINSOK
封装
TO-252
库存
2,500
货期
现货
WSF15N10A参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | WSF15N10A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000484 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 730pF |
| 工作温度 | -55℃~+170℃ |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WSF15N10A概述
WSF15N10A采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
WSF15N10A特性
- 高密度单元设计, 实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装, 散热性能良好
- 采用特殊工艺技术, 具备高ESD能力
WSF15N10A应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源