WSF12N10G
IC
TO-252
可供量大可议
WSF12N10G
WSF12N10G采用先进的SGT MOSFET技术， 可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计， 具备更好的耐用性。
品牌
WINSOK
封装
TO-252
库存
70
货期
现货
WSF12N10G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
WSF12N10G概述
WSF12N10G采用先进的SGT MOSFET技术， 可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计， 具备更好的耐用性。
WSF12N10G特性
暂无产品特性。
WSF12N10G应用领域
暂无应用领域。