WSD85P06DN56
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
WSD85P06DN56
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-85A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：7.5mΩ@-10V, -20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-3V@250uA
品牌
WINSOK
封装
DFN-8L(5x6)
库存
50
货期
现货
WSD85P06DN56参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | WSD85P06DN56 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000214 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 商品名称 | WSD85P06DN56 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WSD85P06DN56概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-85A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：7.5mΩ@-10V, -20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-3V@250uA
WSD85P06DN56特性
暂无产品特性。
WSD85P06DN56应用领域
暂无应用领域。