WSD80N10GDN56
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
WSD80N10GDN56
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：80A@@功率(Pd)：111W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.7mΩ@10V, 20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
品牌
WINSOK
封装
DFN-8L(5x6)
库存
375
货期
现货
WSD80N10GDN56参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 375 |
WSD80N10GDN56概述
类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：80A@@功率(Pd)：111W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.7mΩ@10V, 20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
WSD80N10GDN56特性
暂无产品特性。
WSD80N10GDN56应用领域
暂无应用领域。