WSD6115DN33
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
WSD6115DN33
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-30A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：28mΩ@-10V, -15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-2.3V@250uA
品牌
WINSOK
封装
DFN-8L(3x3)
库存
50
货期
现货
WSD6115DN33参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 商品型号 | WSD6115DN33 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000144 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 商品名称 | WSD6115DN33 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WSD6115DN33概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-30A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：28mΩ@-10V, -15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-2.3V@250uA
WSD6115DN33特性
暂无产品特性。
WSD6115DN33应用领域
暂无应用领域。