WSD4280DN22
IC
DFN-C-6-EP2(2x2)
可供量大可议
WSD4280DN22
WSD4280DN22 集成了采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET 以及低正向电压肖特基二极管。 其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
品牌
WINSOK
封装
DFN-C-6-EP2(2x2)
库存
360
货期
现货
WSD4280DN22参数
| 封装 | DFN-C-6-EP2(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 360 |
WSD4280DN22概述
WSD4280DN22 集成了采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET 以及低正向电压肖特基二极管。 其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
WSD4280DN22特性
暂无产品特性。
WSD4280DN22应用领域
暂无应用领域。