WSD40P10DN56
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
WSD40P10DN56
WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩耐量（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
WINSOK
封装
DFN5X6-8L
库存
9,902
货期
现货
WSD40P10DN56参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | WSD40P10DN56 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00013 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9902 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 3.029nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:100V 电流:30A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WSD40P10DN56概述
WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求, 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试, 具备全面的可靠性认证。
WSD40P10DN56特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
WSD40P10DN56应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流
- 直流电源系统
- 负载开关