WSD40190DN56G
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
WSD40190DN56G
WSD40190DN56G采用先进的SGT技术， 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
WINSOK
封装
DFN5X6-8L
库存
515
货期
现货
WSD40190DN56G参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 515 |
WSD40190DN56G概述
WSD40190DN56G采用先进的SGT技术， 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
WSD40190DN56G特性
暂无产品特性。
WSD40190DN56G应用领域
暂无应用领域。