WSD30N10DN56T
IC
DFN-8
可供量大可议
WSD30N10DN56T
WSD30N10DN56T是具有极高单元密度的高性能SGT双N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD46N10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
WINSOK
封装
DFN-8
库存
250
货期
现货
WSD30N10DN56T参数
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 250 |
WSD30N10DN56T概述
WSD30N10DN56T是具有极高单元密度的高性能SGT双N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSD46N10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力， 并通过了全功能可靠性认证。
WSD30N10DN56T特性
暂无产品特性。
WSD30N10DN56T应用领域
暂无应用领域。