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WSD30160DN56
IC

DFN5x6-8

可供量大可议

WSD30160DN56

场效应管(MOSFET) 62.5W 30V 120A 1个N沟道

品牌

WINSOK

封装

DFN5x6-8

库存

10,000

货期

现货

WSD30160DN56参数

封装DFN5x6-8
品牌WINSOK(微硕)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)4.9nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)1.18nF
分类场效应管(MOSFET)
库存10,000
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)62.5W
栅极电荷量(Qg)38nC@4.5V
反向传输电容(Crss)530pF
类型N沟道

WSD30160DN56概述

场效应管(MOSFET) 62.5W 30V 120A 1个N沟道

WSD30160DN56特性

暂无产品特性。

WSD30160DN56应用领域

暂无应用领域。

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