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WSD2018ADN22
IC

DFNWB-6-EP(2x2)

可供量大可议

WSD2018ADN22

WSD2018ADN22是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。 WSD2018ADN22符合RoHS标准和绿色产品要求, 且已通过全功能可靠性认证。

品牌

WINSOK

封装

DFNWB-6-EP(2x2)

库存

35

货期

现货

WSD2018ADN22参数

封装DFNWB-6-EP(2x2)
品牌WINSOK(微硕)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存35

WSD2018ADN22概述

WSD2018ADN22是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷。 WSD2018ADN22符合RoHS标准和绿色产品要求, 且已通过全功能可靠性认证。

WSD2018ADN22特性

暂无产品特性。

WSD2018ADN22应用领域

暂无应用领域。

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