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WSD19N10DN56
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

WSD19N10DN56

WSD19N10DN56 是高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSD19N10DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求, 100%通过 EAS 认证, 具备完整的功能可靠性。

品牌

WINSOK

封装

DFN-8(5x6)

库存

337

货期

现货

WSD19N10DN56参数

封装DFN-8(5x6)
品牌WINSOK(微硕)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存337

WSD19N10DN56概述

WSD19N10DN56 是高性能沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET, 具有极高的单元密度, 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSD19N10DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求, 100%通过 EAS 认证, 具备完整的功能可靠性。

WSD19N10DN56特性

暂无产品特性。

WSD19N10DN56应用领域

暂无应用领域。

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