WSD1614DN106
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WSD1614DN106
WSD1614DN106采用先进的沟槽技术， 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适合用作电池保护或用于其他开关应用。
品牌
WINSOK
封装
DFN1006-3L
库存
15
货期
现货
WSD1614DN106参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
WSD1614DN106概述
WSD1614DN106采用先进的沟槽技术， 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷， 并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。 该器件适合用作电池保护或用于其他开关应用。
WSD1614DN106特性
暂无产品特性。
WSD1614DN106应用领域
暂无应用领域。