WSD045N10DN56
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
WSD045N10DN56
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.5mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
品牌
WINSOK
封装
DFN-8L(5x6)
库存
50
货期
现货
WSD045N10DN56参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 商品型号 | WSD045N10DN56 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000224 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 商品名称 | WSD045N10DN56 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
WSD045N10DN56概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：3.5mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
WSD045N10DN56特性
暂无产品特性。
WSD045N10DN56应用领域
暂无应用领域。