WPMD2075-6/TR
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
WPMD2075-6/TR
WPMD2075 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23-6L
库存
2,940
货期
现货
WPMD2075-6/TR参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2940 |
WPMD2075-6/TR概述
WPMD2075 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
WPMD2075-6/TR特性
暂无产品特性。
WPMD2075-6/TR应用领域
暂无应用领域。