WPM3027-3/TR
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WPM3027-3/TR
WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-3L
库存
54,404
货期
现货
WPM3027-3/TR参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 110pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 54,404 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.45nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF |
| 类型 | P沟道 |
WPM3027-3/TR概述
WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
WPM3027-3/TR特性
暂无产品特性。
WPM3027-3/TR应用领域
暂无应用领域。