WPM3022-3/TR
自营可供
IC
SOT-23
WPM3022-3/TR
场效应晶体管（FET） WPM3022-3/TR
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23
交期
现货
批次
两年内
WPM3022-3/TR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 599pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
| 商品名称 | 单P沟道, 电流:-3.1A, 耐压:-30V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | WPM3022-3/TR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.3e-05 |
WPM3022-3/TR概述
场效应晶体管（FET） WPM3022-3/TR
WPM3022-3/TR特性
- 沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻-极低的阈值电压-小封装 SOT-23
WPM3022-3/TR应用领域
- DC/DC 转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关