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WPM2092A-3/TR
IC

DFN1006-3L

可供量大可议

WPM2092A-3/TR

绝缘栅场效应管(MOSFET)

品牌

WILLSEMI

封装

DFN1006-3L

库存

28,740

货期

现货

WPM2092A-3/TR参数

封装DFN1006-3L
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))790mΩ@1.8V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)104pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存28,740
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)620mW
栅极电荷量(Qg)1.1nC@4.5V
反向传输电容(Crss)19pF
类型P沟道

WPM2092A-3/TR概述

绝缘栅场效应管(MOSFET)

WPM2092A-3/TR特性

暂无产品特性。

WPM2092A-3/TR应用领域

暂无应用领域。

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