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WPM2083-3/TR
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SOT-23

WPM2083-3/TR

场效应晶体管(FET) P沟道 耐压:20V 电流:2.2A

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

WPM2083-3/TR参数

封装SOT-23
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次26+
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)900mW
栅极电荷量(Qg)5.8nC@4.5V
反向传输电容(Crss)48pF
类型P沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存41,748
MOQ / SPQ1 / 1
导通电阻(RDS(on))110mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))650mV
输入电容(Ciss)486pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)62pF

WPM2083-3/TR概述

场效应晶体管(FET) P沟道 耐压:20V 电流:2.2A

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