WPM2049-3/TR
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WPM2049-3/TR
场效应晶体管（FET） WPM2049-3/TR
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-3L
库存
17,163
货期
现货
WPM2049-3/TR参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 输入电容(Ciss) | 74.5pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 10.8pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,163 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 310mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 880pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 10.2pF |
| 类型 | P沟道 |
WPM2049-3/TR概述
场效应晶体管（FET） WPM2049-3/TR
WPM2049-3/TR特性
暂无产品特性。
WPM2049-3/TR应用领域
暂无应用领域。