WPM2015-3/TR
自营可供
IC
SOT-23
WPM2015-3/TR
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 2.2A 1个P沟道
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
WPM2015-3/TR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
| 商品名称 | 耐压:20V 电流:2.8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 111,373 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | WPM2015-3/TR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.0533e-05 |
WPM2015-3/TR概述
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 2.2A 1个P沟道
WPM2015-3/TR特性
- 漏源击穿电压(VDSS) = -20V, 漏极电流(ID) = -2.8A
- 漏源导通电阻(RDS(on)):在 -2.5V 时为 80mΩ(典型值)
- 漏源导通电阻(RDS(on)):在 -4.5V 时为 110mΩ(典型值)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
WPM2015-3/TR应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理