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WPM2015-3/TR
IC

SOT-23

可供量大可议

WPM2015-3/TR

场效应管(MOSFET) 800mW 20V 2.2A 1个P沟道

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-23

库存

18,267

货期

现货

WPM2015-3/TR参数

封装SOT-23
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))110mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))810mV
输入电容(Ciss)534pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存18,267
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)900mW
栅极电荷量(Qg)7.3nC@4.5V
反向传输电容(Crss)54pF
类型P沟道

WPM2015-3/TR概述

场效应管(MOSFET) 800mW 20V 2.2A 1个P沟道

WPM2015-3/TR特性

暂无产品特性。

WPM2015-3/TR应用领域

暂无应用领域。

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