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WPM1485-6/TR
自营可供
IC

DFN-6L(2x2)

WPM1485-6/TR

绝缘栅场效应管(MOSFET)

品牌

WILLSEMI

封装

DFN-6L(2x2)

交期

现货

批次

两年内

WPM1485-6/TR参数

封装DFN-6L(2x2)
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))50mΩ@1.8V
阈值电压(Vgs(th))950mV
输入电容(Ciss)2.62nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)570pF
分类场效应管(MOSFET)
库存4,936
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)1.8W
栅极电荷量(Qg)30.75nC@4.5V
反向传输电容(Crss)530pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±8V

WPM1485-6/TR概述

绝缘栅场效应管(MOSFET)

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