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WNSC6D10650X6Q-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

WNSC6D10650X6Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备快速恢复、低开关损耗及优异的高温工作能力, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与高频整流场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

WNSC6D10650X6Q-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

WNSC6D10650X6Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料特性, 具备快速恢复、低开关损耗及优异的高温工作能力, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与高频整流场景。

WNSC6D10650X6Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC6D10650X6Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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