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WNSC6D10650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

WNSC6D10650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体系统能效与响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

22

货期

现货

WNSC6D10650Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

WNSC6D10650Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体系统能效与响应速度。

WNSC6D10650Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC6D10650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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