WNSC6D10650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
WNSC6D10650Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体系统能效与响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
22
货期
现货
WNSC6D10650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
WNSC6D10650Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.38V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换场景。 其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体系统能效与响应速度。
WNSC6D10650Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC6D10650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
