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WNSC6D106506Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

WNSC6D106506Q-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合, 有助于提升系统整体能效与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

18

货期

现货

WNSC6D106506Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存18

WNSC6D106506Q-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合, 有助于提升系统整体能效与可靠性。

WNSC6D106506Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC6D106506Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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