WNSC6D106506Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
WNSC6D106506Q-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合, 有助于提升系统整体能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
18
货期
现货
WNSC6D106506Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
WNSC6D106506Q-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合, 有助于提升系统整体能效与可靠性。
WNSC6D106506Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC6D106506Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
