WNSC6D06650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
WNSC6D06650Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.36V, 并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C-2L
Stock
23
货期
现货
WNSC6D06650Q-HXYParameters
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
WNSC6D06650Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.36V, 并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。
WNSC6D06650Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC6D06650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
