Stock与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件Procurement平台
热门搜索Part Number:
WNSC6D06650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

WNSC6D06650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.36V, 并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-220C-2L

Stock

23

货期

现货

WNSC6D06650Q-HXYParameters

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

WNSC6D06650Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 典型正向压降为1.36V, 并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。

WNSC6D06650Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC6D06650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件