WNSC6D04650Q-HXY
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
WNSC6D04650Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 非重复浪涌正向电流达36A。 器件基于碳化硅材料, 具备低导通损耗、高开关速度及优异的高温工作能力, 适用于高频电源转换、功率因数校正以及对能效和热管理要求较高的电子系统中的整流与续流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
22
货期
现货
WNSC6D04650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
WNSC6D04650Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为4A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 非重复浪涌正向电流达36A。 器件基于碳化硅材料, 具备低导通损耗、高开关速度及优异的高温工作能力, 适用于高频电源转换、功率因数校正以及对能效和热管理要求较高的电子系统中的整流与续流功能。
WNSC6D04650Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC6D04650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
