WNSC2M1K0170JQ-HXY

这是一款N沟道增强型高压场效应管， 具备1700V的漏源击穿电压（VDSS）， 可承载5A连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为800mΩ， 有助于减少导通损耗， 提升系统能效。 栅源电压范围为±22V， 具备良好的驱动兼容性与栅极保护能力。 器件适用于高耐压需求的开关电源、直流变换器、高压逆变电路及功率控制模块， 在需要高电压隔离与效率平衡的应用中表现出色， 适用于复杂电磁环境下的稳定功率切换与能量管理场景。