WNSC2D10650WQ-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
WNSC2D10650WQ-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)典型值为1.37V。 其材料特性与电气参数使其在高频、高效率的电源系统中表现出色, 适用于对开关速度和热稳定性有较高要求的场合。 由于导通损耗较低, 有助于提升整体能效, 并简化散热设计, 在多种电力电子转换拓扑中可作为高性能整流或续流元件使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
26
货期
现货
WNSC2D10650WQ-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 26 |
WNSC2D10650WQ-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)典型值为1.37V。 其材料特性与电气参数使其在高频、高效率的电源系统中表现出色, 适用于对开关速度和热稳定性有较高要求的场合。 由于导通损耗较低, 有助于提升整体能效, 并简化散热设计, 在多种电力电子转换拓扑中可作为高性能整流或续流元件使用。
WNSC2D10650WQ-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D10650WQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
