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WNSC2D10650WQ-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

WNSC2D10650WQ-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)典型值为1.37V。 其材料特性与电气参数使其在高频、高效率的电源系统中表现出色, 适用于对开关速度和热稳定性有较高要求的场合。 由于导通损耗较低, 有助于提升整体能效, 并简化散热设计, 在多种电力电子转换拓扑中可作为高性能整流或续流元件使用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

26

货期

现货

WNSC2D10650WQ-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存26

WNSC2D10650WQ-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具备10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)典型值为1.37V。 其材料特性与电气参数使其在高频、高效率的电源系统中表现出色, 适用于对开关速度和热稳定性有较高要求的场合。 由于导通损耗较低, 有助于提升整体能效, 并简化散热设计, 在多种电力电子转换拓扑中可作为高性能整流或续流元件使用。

WNSC2D10650WQ-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D10650WQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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