WNSC2D10650TJ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复峰值电压（VR）达650V， 正向压降（VF）典型值为1.37V， 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。 其低导通压降与高耐压特性相结合， 适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场景， 能够有效降低系统损耗并提升整体性能表现。