WNSC2D10650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复峰值电压（VR）为650V， 正向压降（VF）典型值为1.5V， 反向漏电流（IR）低至60μA， 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM）， 适用于高频、高效率要求的电源转换与整流场合。 其材料特性有效降低开关损耗， 提升系统响应速度与能效表现。