WNSC2D08650TJ-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
WNSC2D08650TJ-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于高频、高效率要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备, 在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
48
货期
现货
WNSC2D08650TJ-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
WNSC2D08650TJ-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于高频、高效率要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备, 在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。
WNSC2D08650TJ-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D08650TJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
