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WNSC2D08650TJ-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

WNSC2D08650TJ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于高频、高效率要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备, 在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

48

货期

现货

WNSC2D08650TJ-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存48

WNSC2D08650TJ-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.42V, 具备较低的导通损耗。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A, 适用于高频、高效率要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备, 在提升系统效率与功率密度方面具有显著优势。

WNSC2D08650TJ-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D08650TJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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