WNSC2D08650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
WNSC2D08650Q-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 表现出较低的导通损耗。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
WNSC2D08650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
WNSC2D08650Q-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 表现出较低的导通损耗。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。
WNSC2D08650Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D08650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
