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WNSC2D08650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

WNSC2D08650Q-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 表现出较低的导通损耗。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

WNSC2D08650Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

WNSC2D08650Q-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 表现出较低的导通损耗。 器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 具备良好的瞬态耐受能力。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关和高温工作条件下仍能维持稳定电气性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。

WNSC2D08650Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D08650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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