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WNSC2D06650TJ-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

WNSC2D06650TJ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性, 在高频开关条件下仍能维持稳定性能, 适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

49

货期

现货

WNSC2D06650TJ-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

WNSC2D06650TJ-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性, 在高频开关条件下仍能维持稳定性能, 适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。

WNSC2D06650TJ-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D06650TJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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