WNSC2D06650TJ-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
WNSC2D06650TJ-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性, 在高频开关条件下仍能维持稳定性能, 适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
49
货期
现货
WNSC2D06650TJ-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
WNSC2D06650TJ-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为6A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.32V, 非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A。 器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性, 在高频开关条件下仍能维持稳定性能, 适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。
WNSC2D06650TJ-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D06650TJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
