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WNSC2D06650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

WNSC2D06650Q-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向导通压降典型值为1.68V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源系统中的整流、续流以及功率转换环节。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

WNSC2D06650Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

WNSC2D06650Q-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向导通压降典型值为1.68V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源系统中的整流、续流以及功率转换环节。

WNSC2D06650Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D06650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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