WNSC2D06650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
WNSC2D06650Q-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向导通压降典型值为1.68V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源系统中的整流、续流以及功率转换环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
WNSC2D06650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
WNSC2D06650Q-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压, 正向导通压降典型值为1.68V, 在瞬态条件下可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源系统中的整流、续流以及功率转换环节。
WNSC2D06650Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D06650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
