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WNSC2D04650XQ-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

WNSC2D04650XQ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 具有较低的导通损耗。 其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A, 能够有效应对短时过载情况。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能, 适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

22

货期

现货

WNSC2D04650XQ-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

WNSC2D04650XQ-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 具有较低的导通损耗。 其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A, 能够有效应对短时过载情况。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能, 适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。

WNSC2D04650XQ-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D04650XQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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