WNSC2D04650XQ-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
WNSC2D04650XQ-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 具有较低的导通损耗。 其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A, 能够有效应对短时过载情况。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能, 适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
22
货期
现货
WNSC2D04650XQ-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
WNSC2D04650XQ-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 具有较低的导通损耗。 其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A, 能够有效应对短时过载情况。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能, 适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。
WNSC2D04650XQ-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D04650XQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
