WNSC2D04650Q-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
WNSC2D04650Q-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 典型正向压降为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
34
货期
现货
WNSC2D04650Q-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 34 |
WNSC2D04650Q-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 典型正向压降为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。
WNSC2D04650Q-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC2D04650Q-HXY应用领域
暂无应用领域。
