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WNSC2D04650Q-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

WNSC2D04650Q-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 典型正向压降为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

34

货期

现货

WNSC2D04650Q-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存34

WNSC2D04650Q-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为4A, 最大反向重复峰值电压达650V, 典型正向压降为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。

WNSC2D04650Q-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC2D04650Q-HXY应用领域

暂无应用领域。

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