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WNSC10650WQ-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

WNSC10650WQ-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.37V。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和优异的热性能, 适用于对效率和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。 其电气特性有助于提升整体电路的能效与稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

30

货期

现货

WNSC10650WQ-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存30

WNSC10650WQ-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.37V。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和优异的热性能, 适用于对效率和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。 其电气特性有助于提升整体电路的能效与稳定性。

WNSC10650WQ-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC10650WQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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