WNSC10650WQ-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
WNSC10650WQ-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.37V。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和优异的热性能, 适用于对效率和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。 其电气特性有助于提升整体电路的能效与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
30
货期
现货
WNSC10650WQ-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
WNSC10650WQ-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压达650V, 正向导通压降典型值为1.37V。 凭借碳化硅材料的固有优势, 器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和优异的热性能, 适用于对效率和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。 其电气特性有助于提升整体电路的能效与稳定性。
WNSC10650WQ-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC10650WQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
