WNSC06650T6J-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
WNSC06650T6J-HXY
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向压降典型值为1.32V, 能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置, 在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
49
货期
现货
WNSC06650T6J-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
WNSC06650T6J-HXY概述
该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向压降典型值为1.32V, 能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置, 在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。
WNSC06650T6J-HXY特性
暂无产品特性。
WNSC06650T6J-HXY应用领域
暂无应用领域。
