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WNSC06650T6J-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

WNSC06650T6J-HXY

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向压降典型值为1.32V, 能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置, 在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

49

货期

现货

WNSC06650T6J-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存49

WNSC06650T6J-HXY概述

该碳化硅二极管为独立式配置, 具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压, 正向压降典型值为1.32V, 能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源转换系统, 如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置, 在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。

WNSC06650T6J-HXY特性

暂无产品特性。

WNSC06650T6J-HXY应用领域

暂无应用领域。

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