WNMD2188-10/TR
IC
CSP-10L
可供量大可议
WNMD2188-10/TR
WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管， 由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接， 因此无需在电路板上连接漏极。 该产品采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。 此器件专为锂离子电池保护电路而设计
品牌
WILLSEMI
封装
CSP-10L
库存
2,228
货期
现货
WNMD2188-10/TR参数
| 封装 | CSP-10L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2228 |
WNMD2188-10/TR概述
WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管， 由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接， 因此无需在电路板上连接漏极。 该产品采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。 此器件专为锂离子电池保护电路而设计
WNMD2188-10/TR特性
暂无产品特性。
WNMD2188-10/TR应用领域
暂无应用领域。