WNM7002-3/TR
IC
SOT-23
可供量大可议
WNM7002-3/TR
场效应管(MOSFET) 830mW 60V 280mA 1个N沟道
品牌
WILLSEMI
封装
SOT-23
库存
15,465
货期
现货
WNM7002-3/TR参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 输入电容(Ciss) | 14.4pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 5.1pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15,465 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 410pC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 0.27pF |
| 类型 | N沟道 |
WNM7002-3/TR概述
场效应管(MOSFET) 830mW 60V 280mA 1个N沟道
WNM7002-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM7002-3/TR应用领域
暂无应用领域。