WNM6012-3/TR
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
WNM6012-3/TR
WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
品牌
WILLSEMI
封装
DFN1006-3L
库存
9,860
货期
现货
WNM6012-3/TR参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9860 |
WNM6012-3/TR概述
WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
WNM6012-3/TR特性
暂无产品特性。
WNM6012-3/TR应用领域
暂无应用领域。