WNM6006-8/TR
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
WNM6006-8/TR
WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
品牌
WILLSEMI
封装
PDFN5x6-8L
库存
5,001
货期
现货
WNM6006-8/TR参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | WILLSEMI(韦尔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5001 |
WNM6006-8/TR概述
WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
WNM6006-8/TR特性
暂无产品特性。
WNM6006-8/TR应用领域
暂无应用领域。