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WNM6001-3/TR
自营可供
IC

SOT-23

WNM6001-3/TR

场效应管(MOSFET) 690mW 60V 500mA 1个N沟道

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

WNM6001-3/TR参数

封装SOT-23
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)23.37pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)7.33pF
分类场效应管(MOSFET)
库存212,734
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)690mW
栅极电荷量(Qg)1.2nC@10V
反向传输电容(Crss)5.2pF
类型N沟道

WNM6001-3/TR概述

场效应管(MOSFET) 690mW 60V 500mA 1个N沟道

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