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WNM5002-3/TR
IC

SOT-23

可供量大可议

WNM5002-3/TR

绝缘栅场效应管(MOSFET)

品牌

WILLSEMI

封装

SOT-23

库存

37,640

货期

现货

WNM5002-3/TR参数

封装SOT-23
品牌WILLSEMI(韦尔)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)36pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)22pF
分类场效应管(MOSFET)
库存37,640
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)50V
耗散功率(Pd)690mW
栅极电荷量(Qg)1.6nC@10V
反向传输电容(Crss)12pF
类型N沟道

WNM5002-3/TR概述

绝缘栅场效应管(MOSFET)

WNM5002-3/TR特性

暂无产品特性。

WNM5002-3/TR应用领域

暂无应用领域。

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